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TechInsights近期分析了从SK海力士2TB SSD PC811 HFS002TEM9X152N（器件：H25T3TDG8C-X682）中取出的SK海力士238L 512Gb 3D NAND芯片，况兼将其与现在其他的主流3D NAND芯片进行了对比。现在，三星236L、SK海力士238L、好意思光232L和长江存储232L等2xx层TLC NAND家具与铠侠和西部数据的112L/162L以及Solidigm的144L/192L(FG)沿路成为了市集主流。

说到3D NAND单位的成果，垂直单位成果(VCE)是NAND单位工艺、设想、集成和器件开动中必须琢磨的伏击身分。跟着堆叠总栅极数的加多，单位VC孔的高度也随之加多。为了镌汰VC高度和纵横比，其中一种范例是通过减少虚构栅极（dummy gates）、通过栅极（passing gates）和选拔栅极（select gates）的数目来培植垂直单位成果。垂直单位成果不错用总栅极中active cell的百分比来界说，也即是用active WL除以集成的总栅极数来贪图。垂直单位成果越高，工艺集成度越高，纵横比越低，举座成果越高。

在多代3D NAND家具中，三星恒久以最高的垂直单位成果领跑行业。他们最新的多层V-NAND在前几代以高效著称的基础上，领有令东说念主印象潜入的垂直单位成果。好意思光和长江存储也在其家具中展示了强盛的垂直单位成果数据，这反应出它们在减少虚构栅极、通过栅极和选拔栅极数目方面得回了显耀逾越，从而优化了垂直单位成果。比较之下，铠侠的3D NAND的垂直单位成果略低，这标明其仍有更正的空间。竞争态势突显了3D NAND本事不停转变以培植垂直单位成果和举座性能的伏击性。跟着本事的不停发展kaiyun体育网页平台是您休闲娱乐的首选网站!，咱们不错预念念，进一步的更正和冲突将鼓励下一代数据存储贬责决策的降生。三星、SK海力士、好意思光和长江存储等行业引导者对更高垂直单位成果值的不懈追求有望塑造3D NAND本事的已往，为各式哄骗提供更高效、更雄壮的存储选拔。

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